电子工业生产线上的静电及其危害
1、半导体和ic生产线上的静电及危害
①穿着尼龙衣、塑胶基底鞋缓慢在清洁地板上走动，人身会带7kv-8kv电压。
②玻璃纤维制成的晶体载料盒滑过聚丙烯桌面时，易产生10kv静电 。
③晶片装配线：晶片5kv，晶片装料盒35kv，工作服10kv，桌面10kv，有机玻璃盖8kv，石英晶体1.5kv，晶片托盘6kv。
④ 光刻间塑料地面500v-1000v，金属网格地面也是500v-1000v，扩散间塑料地面500v-1500v瓷砖地面也是500v-1500v，塑料墙面约700v，塑料顶棚0-1000v，铝板送风口，回风口500v-1000v，金属活动皮革椅面500v-3000v。
2、半导体和ic生产线上的静电危害
①静电库仑力的危害：静电 库仑作用下吸附的粉尘、污物，可能带给元器件，从而增大泄露或造成短路，使性能受损，成品率大大下降。如粉尘粒径〉100微米，铝线宽度约100微米，薄膜厚度在50微米以下时，最易使产品报废，这种情形多发生在腐蚀清洗、光刻、电焊和封装等工艺过程中。
②静电放电 引起的危害：如有数千、数万伏的高电位物体发生脉冲刷形放电或火花放电时，瞬间会有很高的放电电流流向大地时，形成脉冲状的电流峰位在20a，造成可观的影响，静电放电（esd） 还伴随着电磁波发射，会引起种种危害。
a、 mosic等半导体器件将被静电放电（esd）击穿或半击穿。mos场效应管其栅极是从氧化膜引出，栅极与衬底间是隔着一层氧化膜，当栅极与衬底间的电压超过一定值，氧化膜便被击穿，如果mosic，则全部报废了当施加电压于天ub=50-100v，氧化膜便会被击穿，因为栅极电容很小（约几个微微法），输入阻搞很高（约1014ω以上），这样，少量的电荷就会产生很高电压，电荷也很难汇漏，只要大于50v（无保护）就会烧毁，所以，只要人手一摸栅极，元件就坏了，因为人带电超过50v是平常事。
我们可以了解到集成电路对静电 敏感性，各种芯片不同之处在于所能承受的耐静电压值不同。实际工用条件中，几乎20v的静电压直接接触器件就足以毁坏或降低性能。
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